因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

間隙氧濃度測(cè)定、替代氧含量分析、氧沉淀密度評(píng)估、氧熱施主效應(yīng)測(cè)試、氧復(fù)合缺陷表征、氧分布均勻性檢測(cè)、氧結(jié)合態(tài)識(shí)別、氧擴(kuò)散系數(shù)測(cè)定、氧摻雜效率驗(yàn)證、氧空位濃度測(cè)量、氧相關(guān)光致衰減測(cè)試、氧雜質(zhì)形態(tài)鑒定、氧團(tuán)簇尺寸分析、氧碳復(fù)合缺陷檢測(cè)、氧氮復(fù)合物含量測(cè)定、氧化層厚度驗(yàn)證、氧誘導(dǎo)層錯(cuò)密度評(píng)估、氧施主濃度標(biāo)定、氧受主態(tài)密度分析、氧相關(guān)載流子壽命測(cè)試、氧沉淀形貌觀測(cè)、氧分凝系數(shù)測(cè)定、氧熱穩(wěn)定性評(píng)估、氧化學(xué)態(tài)定量分析、氧振動(dòng)模式識(shí)別、氧同位素豐度檢測(cè)、氧界面態(tài)密度測(cè)量、氧擴(kuò)散激活能計(jì)算、氧相關(guān)應(yīng)力場(chǎng)分析、氧本征吸收系數(shù)校準(zhǔn)

檢測(cè)范圍

直拉單晶硅錠、區(qū)熔單晶硅棒、多晶硅鑄錠、太陽(yáng)能級(jí)硅片、半導(dǎo)體拋光片、外延襯底片、退火處理樣片、離子注入樣品、擴(kuò)散工藝樣片、氧化層薄膜樣品、氮化硅覆蓋層樣品、碳化硅復(fù)合基板、太陽(yáng)能電池組件、集成電路芯片基材、光伏組件封裝材料、硅基納米線陣列、多孔硅結(jié)構(gòu)樣品、非晶硅薄膜材料、微晶硅光伏層樣品、硅基合金材料（SiGe/SiC）、太陽(yáng)能電池減反射膜層、硅基MEMS器件基材、半導(dǎo)體封裝用硅膠材料、光伏背板封裝膠膜、硅基量子點(diǎn)復(fù)合材料、半導(dǎo)體工藝廢料樣片、回收硅料提純樣品、太陽(yáng)能電池銀漿料基材、半導(dǎo)體級(jí)高純石英坩堝殘留物分析樣片

檢測(cè)方法

透射式紅外光譜法：基于1106cm?特征吸收峰強(qiáng)度與間隙氧濃度的線性關(guān)系建立定量模型，需在液氮溫度下消除熱振動(dòng)干擾。

反射式紅外光譜法：適用于表面氧化層及薄膜樣品分析，采用掠入射技術(shù)增強(qiáng)信號(hào)強(qiáng)度。

顯微紅外光譜法：結(jié)合光學(xué)顯微鏡實(shí)現(xiàn)微區(qū)（10μm級(jí)）氧分布特征分析。

光熱偏轉(zhuǎn)光譜法：通過探測(cè)樣品熱透鏡效應(yīng)提高低濃度（＜110?cm?）測(cè)量靈敏度。

變溫紅外光譜法：在25-300℃范圍內(nèi)研究氧沉淀動(dòng)力學(xué)過程。

偏振紅外光譜法：用于晶體取向?qū)ρ跷战孛嬗绊懙男Ｕ治觥?/p>

同步輻射紅外光譜法：利用高亮度光源實(shí)現(xiàn)納米級(jí)空間分辨率測(cè)量。

傅里葉變換紅外光譜法：采用邁克爾遜干涉儀提升光譜分辨率和信噪比。

衰減全反射紅外法（ATR）：適用于粗糙表面或非透明樣品的無(wú)損檢測(cè)。

光致發(fā)光譜輔助分析法：通過D1/D2缺陷峰強(qiáng)度比驗(yàn)證氧沉淀狀態(tài)。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTMF1188-2021硅中間隙原子氧含量的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法

ISO14707:2020表面化學(xué)分析-輝光放電發(fā)射光譜法測(cè)定硅中雜質(zhì)含量

GB/T1558-2021半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

IEC60904-1:2020光伏器件第1部分：光伏電流-電壓特性的測(cè)量

JISH0615:2019硅晶體中雜質(zhì)濃度的紅外吸收測(cè)定方法

SEMIMF1188-0821硅片間隙氧含量的測(cè)試方法

DIN50438-1:2018半導(dǎo)體材料的測(cè)試-硅中替代碳和間隙氧的紅外測(cè)定

GB/T26071-2018太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠中雜質(zhì)元素含量的測(cè)定方法

ISO21484:2017核能-二氧化鈾粉末和燒結(jié)芯塊中O/U原子比的測(cè)定

ASTME168-2016紅外定量分析的一般實(shí)踐標(biāo)準(zhǔn)

檢測(cè)儀器

傅里葉變換紅外光譜儀（FTIR）：配備液氮冷卻MCT探測(cè)器（4000-400cm?），分辨率可達(dá)0.5cm?，配置可變溫樣品室（-196℃~600℃）。

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件