因業(yè)務調整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

晶格常數(shù)測定：通過衍射峰位置計算晶胞尺寸。具體檢測參數(shù)：衍射角范圍20-150度，精度0.001度。

相鑒定：識別材料中的不同晶體相。具體檢測參數(shù)：峰位匹配誤差小于0.01度，相含量定量分析。

殘余應力分析：測量晶格應變引起的峰位移。具體檢測參數(shù)：應力分辨率1MPa，角度偏移檢測范圍0.1-5度。

織構分析：確定晶體取向分布。具體檢測參數(shù)：極圖采集角度步進0.5度，取向密度函數(shù)計算。

晶體尺寸測量：使用Scherrer公式計算晶粒大小。具體檢測參數(shù)：峰寬半高全寬測量，尺寸范圍1-1000nm。

缺陷分析：檢測晶格缺陷如位錯或空位。具體檢測參數(shù)：峰形不對稱性評估，缺陷密度量化。

薄膜厚度測量：通過掠入射衍射分析層狀結構。具體檢測參數(shù)：入射角0.1-5度，厚度分辨率1nm。

定量相分析：計算各相的含量比例。具體檢測參數(shù)：峰強度比校準，誤差小于2%.

高溫/低溫衍射：研究溫度對結構的影響。具體檢測參數(shù)：溫度范圍-196至1600C，溫控精度1C。

非晶態(tài)分析：評估非晶材料的短程有序。具體檢測參數(shù)：徑向分布函數(shù)計算，峰位擬合誤差0.05度。

晶面間距測量：直接計算晶面間距離。具體檢測參數(shù)：d間距范圍0.1-10nm，精度0.0001nm。

多晶衍射：分析多晶樣品整體結構。具體檢測參數(shù)：全譜掃描速度5度/分鐘，峰積分面積計算。

檢測范圍

金屬合金：鋼鐵或鋁合金的晶體結構表征，包括相變和晶粒生長分析。

陶瓷材料：氧化鋁或碳化硅的相組成鑒定，涉及高溫穩(wěn)定性研究。

半導體器件：硅晶片的晶格完整性檢測，用于缺陷和應力評估。

聚合物結晶：高分子材料的結晶度測量，包括熔融和固化過程分析。

地質樣品：礦物晶體結構鑒定，如石英或長石的相識別。

藥物晶體：活性成分的晶型分析，確保純度和穩(wěn)定性。

納米材料：納米粒子的尺寸和結構表征，涉及量子效應研究。

復合材料：界面結構的衍射分析，如纖維增強材料的取向。

催化劑：表面結構研究，包括活性位點分布。

生物材料：骨組織中的晶體分析，用于礦物含量測定。

陶瓷涂層：表面涂層的厚度和相變檢測，應用于耐磨性評估。

玻璃材料：非晶態(tài)結構分析，包括短程有序度量化。

檢測標準

ASTME975：X射線衍射殘余應力測量標準。

ISO16000：晶體結構分析通用規(guī)范。

GB/T223：鋼鐵材料衍射檢測方法。

ASTMD5380：聚合物結晶度測定標準。

ISO20203：鋁碳化物相定量分析。

GB/T13298：金屬顯微組織衍射鑒定。

ASTMF2024：半導體晶格參數(shù)測量規(guī)范。

ISO18500：高溫衍射操作指南。

GB/T8362：殘余應力檢測技術條件。

ASTME1426：薄膜厚度衍射分析方法。

檢測儀器

X射線衍射儀：產生單色X射線并檢測衍射信號，用于測量衍射角位置和強度。

高分辨率衍射儀：配備精密測角器和單色器，提高峰分辨率，用于精確晶格參數(shù)測定。

原位衍射裝置：集成溫控和氣氛控制單元，允許變溫或變壓下進行衍射分析。

面探測器系統(tǒng)：快速采集二維衍射數(shù)據(jù)，用于織構分析和全譜掃描。

同步輻射光源：提供高強度X射線束，用于高靈敏度缺陷檢測和非環(huán)境條件研究。

粉末衍射儀：專為粉末樣品設計，優(yōu)化樣品旋轉和信號平均，用于相定量分析。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進行樣品檢測

6、檢測出相關數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認信息是否無誤

7、確認完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件